技术参数/额定电流: -50.0 mA
技术参数/击穿电压: 30.0 V|30 V
技术参数/漏源极电阻: 150 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 500 mW
技术参数/栅源击穿电压: 30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -25.0 mA
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 500 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-206
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-206
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N5114
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-18 |
P-Channel JFET Switch1
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2N5114
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-18-3 |
P-Channel JFET Switch1
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2N5114
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Solitron Devices | 功能相似 |
P-Channel JFET Switch1
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2N5114
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-18 |
P-Channel JFET Switch1
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2N5115
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-206 |
2N5115 系列 30 V 50 mA 通孔 P-沟道 JFET 开关 - TO-18
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2N5115
|
Calogic | 功能相似 | TO-18 |
2N5115 系列 30 V 50 mA 通孔 P-沟道 JFET 开关 - TO-18
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2N5115
|
Linear Technology (凌力尔特) | 功能相似 |
2N5115 系列 30 V 50 mA 通孔 P-沟道 JFET 开关 - TO-18
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2N5115
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-206 |
2N5115 系列 30 V 50 mA 通孔 P-沟道 JFET 开关 - TO-18
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2N5115
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-206 |
2N5115 系列 30 V 50 mA 通孔 P-沟道 JFET 开关 - TO-18
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2N5116
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-206 |
2N5116 Series 30V 50mA Through Hole P-Channel JFETs - TO-206AA
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2N5116
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-206 |
2N5116 Series 30V 50mA Through Hole P-Channel JFETs - TO-206AA
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2N5116
|
Solid State | 功能相似 |
2N5116 Series 30V 50mA Through Hole P-Channel JFETs - TO-206AA
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2N5116
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Intersil (英特矽尔) | 功能相似 | BCY |
2N5116 Series 30V 50mA Through Hole P-Channel JFETs - TO-206AA
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2N5116
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-206 |
2N5116 Series 30V 50mA Through Hole P-Channel JFETs - TO-206AA
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JANTX2N5116
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-206 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18
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JANTXV2N5116
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Solitron Devices | 类似代替 |
Trans JFET P-CH
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JANTXV2N5116
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | TO-18 |
Trans JFET P-CH
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Philips (飞利浦) | 功能相似 |
P-channel silicon field-effect transistors
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PMBFJ177
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
P-channel silicon field-effect transistors
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