技术参数/漏源极电阻: 75 Ω
技术参数/耗散功率: 500 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/击穿电压: 30 V
技术参数/输入电容(Ciss): 25pF @15V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 500 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 500 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-18
外形尺寸/封装: TO-18
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
JANTX2N5114
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Solitron Devices | 类似代替 | TO-18 |
JAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
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JANTXV2N5116
|
Solitron Devices | 类似代替 |
Trans JFET P-CH
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JANTXV2N5116
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | TO-18 |
Trans JFET P-CH
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PMBFJ174,215
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP PMBFJ174,215 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFET
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PMBFJ176
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
P-channel silicon field-effect transistors
|
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|
Philips (飞利浦) | 功能相似 |
P-channel silicon field-effect transistors
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PMBFJ177
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
P-channel silicon field-effect transistors
|
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