技术参数/额定电流: -50.0 mA
技术参数/击穿电压: 30.0 V
技术参数/漏源极电阻: 100 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/栅源击穿电压: 30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -60.0 mA
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-206
外形尺寸/封装: TO-206
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N5115
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-206 |
N沟道JFET N-CHANNEL JFET
|
||
2N5115
|
Calogic | 功能相似 | TO-18 |
N沟道JFET N-CHANNEL JFET
|
||
2N5115
|
Linear Technology (凌力尔特) | 功能相似 |
N沟道JFET N-CHANNEL JFET
|
|||
2N5115
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-206 |
N沟道JFET N-CHANNEL JFET
|
||
2N5115
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-206 |
N沟道JFET N-CHANNEL JFET
|
||
JANTX2N5114
|
Solitron Devices | 类似代替 | TO-18 |
JAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
|
||
JANTX2N5116
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-206 |
P沟道J- FET P-CHANNEL J-FET
|
||
JANTXV2N5116
|
Solitron Devices | 类似代替 |
Trans JFET P-CH
|
|||
JANTXV2N5116
|
Microsemi (美高森美) | 类似代替 | TO-18 |
Trans JFET P-CH
|
||
|
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
P-channel silicon field-effect transistors
|
||
|
|
Philips (飞利浦) | 功能相似 |
P-channel silicon field-effect transistors
|
|||
|
|
Philips (飞利浦) | 功能相似 |
P-channel silicon field-effect transistors
|
|||
PMBFJ177
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
P-channel silicon field-effect transistors
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价