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型号： RFP45N06

描述： Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

品牌： Harris

封装：

货期：

包装方式：

标准包装数： 1

10+:

￥ 7.1640

100+:

￥ 6.8058

500+:

￥ 6.5670

1000+:

￥ 6.5551

2000+:

￥ 6.5073

5000+:

￥ 6.4476

7500+:

￥ 6.3998

10000+:

￥ 6.3760

价格	￥ 7.1640	￥ 6.8058	￥ 6.5670	￥ 6.5551	￥ 6.5073
起批量	10+	100+	500+	1000+	2000+

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型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
RFP12N10L	Rochester (罗切斯特)	功能相似	TO-220	ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP12N10L, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装	PDF
RFP30N06LE	Freescale (飞思卡尔)	类似代替		30A ， 60V ， ESD额定， 0.047欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs	PDF
RFP50N06	Fairchild (飞兆/仙童)	功能相似	TO-220-3	ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装	PDF