技术参数/额定电压(DC)： | 60.0 V |
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技术参数/额定电流： | 50.0 A |
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技术参数/额定功率： | 131 W |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 22 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 131 W |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 60 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 50.0 A |
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技术参数/上升时间： | 55 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2020pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 131 W |
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技术参数/下降时间： | 13 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 131 W |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.67 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 4.83 mm |
|
外形尺寸/高度： | 9.4 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
RFP12N10L
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | TO-220 |
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP12N10L, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
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RFP30N06LE
|
Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 |
30A ， 60V ， ESD额定， 0.047欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
|
|||
RFP50N06
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-220-3 |
ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
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