技术参数/额定电压(DC)： | 100 V |
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技术参数/额定电流： | 12.0 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 200 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 60.0 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 100 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±10.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 12.0 A |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220 |
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外形尺寸/封装： | TO-220 |
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其他/产品生命周期： | Active |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
RFP30N06LE
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Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 |
30A ， 60V ， ESD额定， 0.047欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
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NTE2987
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NTE Electronics | 功能相似 | TO-220 |
NTE ELECTRONICS NTE2987 芯片, 高速开关, MOSFET, N沟道, 20A, TO220-3
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FQPF19N20
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-220-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF19N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.8 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 5 V
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