技术参数/额定功率： | 200 W |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 200 W |
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技术参数/输入电容： | 3130 pF |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 57A |
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技术参数/上升时间： | 58 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 3130pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 200 W |
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技术参数/下降时间： | 47 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 200W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-263-3 |
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外形尺寸/长度： | 9.65 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.22 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.3 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3710S
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263-2 |
D2PAK N-CH 100V 57A
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IRF3710S
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | D2PAK-263 |
D2PAK N-CH 100V 57A
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IRF3710SPBF
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Infineon (英飞凌) | 完全替代 | TO-263-3 |
INFINEON IRF3710SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
|
||
IRF3710SPBF
|
IFC | 完全替代 |
INFINEON IRF3710SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
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|||
IRF3710STRRPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
N 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
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STB35NF10T4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STB40NF10LT4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB40NF10LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V
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