技术参数/额定电压(DC)： | 100 V |
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技术参数/额定电流： | 57.0 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 23.0 mΩ (max) |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 200 W |
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技术参数/产品系列： | IRF3710S |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 100V (min) |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 57.0 A |
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技术参数/上升时间： | 58.0 ns |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-263-2 |
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外形尺寸/封装： | TO-263-2 |
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其他/产品生命周期： | End of Life |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3710SPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON IRF3710SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
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IRF3710SPBF
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IFC | 功能相似 |
INFINEON IRF3710SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V
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IRF3710STRLPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263-3 |
N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
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IRF3710STRLPBF
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IFC | 功能相似 |
N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
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IRF3710STRLPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
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IRF3710STRRPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 沟道 100 V 200 W 130 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
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STB35NF10T4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STB40NF10LT4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB40NF10LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V
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