技术参数/频率: | 30MHz ~ 175MHz |
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技术参数/输出功率: | 150 W |
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技术参数/增益: | 13dB ~ 22dB |
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技术参数/测试电流: | 250 mA |
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技术参数/输入电容(Ciss): | 350pF @50V(Vds) |
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技术参数/耗散功率(Max): | 416000 mW |
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技术参数/额定电压: | 125 V |
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封装参数/引脚数: | 4 |
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封装参数/封装: | P-244 |
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外形尺寸/封装: | P-244 |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tray |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BLF177
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Ampleon USA | 功能相似 | 4 |
NXP BLF177 晶体管, 射频FET, 125 V, 16 A, 220 W, 1 MHz, 108 MHz
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MRF150
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M/A-Com | 功能相似 | 211-11 |
MOSFET晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
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MRF151
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | 211-11 |
射频功率场效应晶体管150 W, 50 V, 175 MHz的N沟道MOSFET宽带 RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
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MRF151
|
M/A-Com | 功能相似 | 211-11 |
射频功率场效应晶体管150 W, 50 V, 175 MHz的N沟道MOSFET宽带 RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
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