技术参数/频率： | 30MHz ~ 150MHz |
|
技术参数/额定电流： | 16 A |
|
技术参数/耗散功率： | 300000 mW |
|
技术参数/漏源击穿电压： | 125V (min) |
|
技术参数/输出功率： | 150 W |
|
技术参数/增益： | 8dB ~ 17dB |
|
技术参数/测试电流： | 250 mA |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 400pF @50V(Vds) |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 300000 mW |
|
技术参数/额定电压： | 125 V |
|
封装参数/安装方式： | Flange |
|
封装参数/引脚数： | 4 |
|
封装参数/封装： | 211-11 |
|
外形尺寸/封装： | 211-11 |
|
其他/产品生命周期： | Unknown |
|
其他/包装方式： | Tray |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
符合标准/ELV标准： | Compliant |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MRF151
|
Motorola (摩托罗拉) | 类似代替 | 211-11 |
射频功率场效应晶体管150 W， 50 V， 175 MHz的N沟道MOSFET宽带 RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
|
||
|
|
ETC1 | 功能相似 |
射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价