技术参数/频率： | 175 MHz |
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技术参数/额定电流： | 16 A |
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技术参数/耗散功率： | 300 W |
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技术参数/阈值电压： | 3 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 125 V |
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技术参数/输出功率： | 150 W |
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技术参数/增益： | 13dB ~ 22dB |
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技术参数/测试电流： | 250 mA |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 350pF @50V(Vds) |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 300000 mW |
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技术参数/额定电压： | 125 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | 211-11 |
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外形尺寸/封装： | 211-11 |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tray |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/香港进出口证： | NLR |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MRF150
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M/A-Com | 功能相似 | 211-11 |
MOSFET晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB
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MRF151
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | 211-11 |
射频功率场效应晶体管150 W， 50 V， 175 MHz的N沟道MOSFET宽带 RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
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||
MRF151
|
M/A-Com | 功能相似 | 211-11 |
射频功率场效应晶体管150 W， 50 V， 175 MHz的N沟道MOSFET宽带 RF Power Field-Effect Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
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MRF151A
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M/A-Com | 功能相似 | P-244 |
射频MOSFET行射频功率场效应晶体管N沟道增强型MOSFET The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
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ETC1 | 功能相似 |
射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs
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Advanced Semiconductor | 功能相似 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.5INCH, 4l, FM-4
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