技术参数/耗散功率： | 88 W |
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技术参数/输入电容： | 3468 pF |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/上升时间： | 62 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 3468pF @12V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 88 W |
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技术参数/下降时间： | 25 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 88W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 5 |
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封装参数/封装： | SOT-669 |
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外形尺寸/长度： | 5 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-669 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Nexperia (安世) | 功能相似 |
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET
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PSMN2R5-30YL
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | LFPAK |
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET
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PSMN2R5-30YL,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-669 |
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=100A P=88W
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||
PSMN2R5-30YL,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-669-4 |
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=100A P=88W
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