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型号： PSMN2R5-30YL
描述： N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET
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品 牌： NXP (恩智浦)
封 装： LFPAK
货 期：
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技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 88.0 W

技术参数/漏源极电压(Vds): 30.0 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 100 A

封装参数/封装: LFPAK

外形尺寸/封装: LFPAK

其他/产品生命周期: Unknown

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
PSMN2R5-30YL PSMN2R5-30YL Nexperia (安世) 功能相似
Power Field-Effect Transistor
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