技术参数/耗散功率： | 300 mW |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 220 |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 220 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23 |
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外形尺寸/封装： | SOT-23 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2014/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FMMT619
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | SOT-23 |
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE
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FMMT619
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CJ (长电科技) | 类似代替 | SOT-23-3 |
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE
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FMMT619
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Diodes (美台) | 类似代替 | SOT-23 |
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE
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PBSS4240T
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Philips (飞利浦) | 类似代替 | SOT-23 |
NXP PBSS4240T 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
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PBSS4240T
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23 |
NXP PBSS4240T 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
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PBSS4320T
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23 |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS4320T
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Nexperia (安世) | 类似代替 | TO-236 |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS4320T
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Philips (飞利浦) | 类似代替 | SOT-23 |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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