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型号： PBSS4320T

描述： NXP PBSS4320T 单晶体管双极, NPN, 20 V, 300 mW, 2 A, 220 hFE

品牌： NXP (恩智浦)

封装： SOT-23

货期：

包装方式： Cut Tape (CT)

标准包装数： 1

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

库存(5612) 起订量(1)

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规格参数
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丝印
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技术参数/针脚数：	3
技术参数/极性：	NPN
技术参数/耗散功率：	300 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)：	20 V
技术参数/集电极最大允许电流：	2A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)：	150
技术参数/直流电流增益(hFE)：	220
技术参数/工作温度(Max)：	150 ℃
技术参数/工作温度(Min)：	-65 ℃
技术参数/耗散功率(Max)：	1200 mW
封装参数/安装方式：	Surface Mount
封装参数/引脚数：	3
封装参数/封装：	SOT-23
外形尺寸/长度：	3 mm
外形尺寸/宽度：	1.4 mm
外形尺寸/高度：	1 mm
外形尺寸/封装：	SOT-23
其他/产品生命周期：	Unknown
其他/包装方式：	Cut Tape (CT)
其他/制造应用：	Consumer Electronics, Signal Processing, Power Management, Industrial
符合标准/RoHS标准：	RoHS Compliant
符合标准/含铅标准：	Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准：	No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本：	2015/12/17

替代料

型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
FMMT619	Vishay Semiconductor (威世)	类似代替	SOT-23	单晶体管双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE	PDF
FMMT619	CJ (长电科技)	类似代替	SOT-23-3	单晶体管双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE	PDF
FMMT619	Diodes (美台)	类似代替	SOT-23	单晶体管双极, NPN, 50 V, 140 MHz, 625 mW, 2 A, 450 hFE	PDF
PBSS4240T	Philips (飞利浦)	类似代替	SOT-23	NXP PBSS4240T 单晶体管双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE	PDF
PBSS4240T	NEXPERIA	类似代替	SOT-23	NXP PBSS4240T 单晶体管双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE
PBSS4240T	NXP (恩智浦)	类似代替	SOT-23	NXP PBSS4240T 单晶体管双极, NPN, 40 V, 230 MHz, 300 mW, 2 A, 470 hFE	PDF
PBSS4320T	NXP (恩智浦)	类似代替	SOT-23	低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia	PDF
PBSS4320T	Nexperia (安世)	类似代替	TO-236	低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia	PDF
PBSS4320T	Philips (飞利浦)	类似代替	SOT-23	低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia	PDF