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型号: PBHV8118T
描述: 低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
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封 装: SOT-23
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE):

100

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

300 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

SOT-23

 

外形尺寸/长度:

3 mm

 

外形尺寸/宽度:

1.4 mm

 

外形尺寸/高度:

1.1 mm

 

外形尺寸/封装:

SOT-23

 

其他/产品生命周期:

Active

 

符合标准/RoHS标准:

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
PBHV8115Z,115 PBHV8115Z,115 Nexperia (安世) 功能相似 TO-261-4
NXP PBHV8115Z,115 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
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