技术参数/针脚数： | 4 |
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技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/耗散功率： | 700 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 150 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 1A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 50 @500mA, 10V |
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技术参数/最大电流放大倍数(hFE)： | 100 @50mA, 10V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.4 W |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 250 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1400 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | TO-261-4 |
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外形尺寸/封装： | TO-261-4 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PBHV8115Z,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-261-4 |
单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 700 mW, 1 A, 250 hFE
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PBHV8115T,215
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP PBHV8115T,215 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
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||
PBHV8115T,215
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP PBHV8115T,215 单晶体管 双极, NPN, 150 V, 30 MHz, 300 mW, 1 A, 250 hFE
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