近日据The Elec报道，由于供需极度失衡，高端半导体芯片DRAM，FALSH等制造中使用的前端关键材料铪，价格自去年以来便持续上涨。
由于供需极度失衡，高端的半导体芯片DRAM制造中使用的前端关键材料铪，价格自去年以来持续上涨。韩国半导体行业负责人表示，从2021年到去年底，半导体用铪的价格上涨100%，涨势目前依旧非常陡峭。另有多家外媒报道，全球铪价从去年初的每公斤1200-1400美元飙升至今年年初的4500-4800美元。
其中，在半导体行业中，现有高k材料主要是锆（Zr），但铪更适合微加工半导体芯片，且稳定性更突出。铪氧化物薄膜是很可能用于COMS和下一代DRAM中的候选高介电常数（高k）绝缘层材料。
因此，报道指出，三星电子、SK海力士等存储芯片大厂在生产最先进DRAM时，也着手增加铪的用量。而这两家公司每年的铪采购量都有100多吨。
此前，英特尔曾在45nm晶体管中，用铪替代二氧化硅，可在显著降低漏电量的同时保持高电容。
另外，自45nm技术节点开始，特别是28nm以下的先进CMOS技术普遍采用的高k/金属栅技术均以铪基氧化物作为核心材料，被摩尔定律提出者评价为CMOS技术发明以来最大的技术革命。
而以铪基氧化物为代表的新型阻变存储器（RRAM）技术，也已展示出低压、低功耗、高密度集成的特点与存算融合等新功能。
从需求端来看，增加铪供给量也颇具难度。这一金属并不是直接从作为原料的矿石中生产的，而是生产锆时的副产品，而在这一过程中，锆铪比例仅为50:1。
同时，法国和美国几乎垄断了铪市场，而俄罗斯和乌克兰的供应去年因俄乌冲突中断
