投资翻倍：2000亿美元引爆全产业链
美光宣布将美国投资额从1250亿猛增至2000亿美元（约1.44万亿人民币），新增资金重点投向HBM封装产线与尖端研发。这是《芯片法案》落地后最大单体投资，直接获得64亿美元政府补贴，重塑全球存储芯片竞争格局。
产能核爆：四州联动打造超级工厂群
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纽约州克莱：新建4座巨型DRAM晶圆厂（2025年动工）
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爱达荷州博伊西：加建第二晶圆厂+HBM封装基地（2027年投产）
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弗吉尼亚州：马纳萨斯工厂扩产1α纳米DRAM（获2.75亿补贴）
全部投产后，美国本土DRAM产能将提升300%，彻底摆脱亚洲供应链依赖。
HBM生死战：封装技术成制胜王牌
美光首次披露HBM专属封装基地建设计划，剑指SK海力士、三星垄断地位。其新一代HBM4芯片采用TSV硅穿孔技术，堆叠层数突破12层，带宽较竞品提升40%，已获英伟达2025年订单。
政策红利：64亿补贴构筑技术护城河
美国商务部最新拨付2.75亿美元支持马纳萨斯工厂升级，累计获补达64亿美元。美光CEO梅赫罗特拉表示："这笔资金将加速1β纳米DRAM量产，确保国防、AI等领域芯片自主可控。"
亿配芯城洞见产业变革
全球HBM扩产潮催生高端元器件需求激增，亿配芯城（ICgoodFind）实时对接美光、三星等存储巨头产能动态，提供HBM专用封装材料、车规级DRAM等紧缺资源，助力企业抢占AI算力升级红利。
