英飞凌计划投资50亿欧元在马来西亚建造全球最大8英寸SiC功率晶圆厂

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8月7日消息,英飞凌,全球领先的功率半导体制造商,近日宣布了一项雄心勃勃的计划:在未来五年内投资高达50亿欧元,用于在马来西亚建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂。这一举措凸显了英飞凌对SiC市场的信心,也反映了全球新能源汽车产业对SiC器件需求的增长。

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随着全球新能源汽车市场的加速普及,对于更高功率密度的需求也在不断提升,这为SiC产业的落地提供了重要的契机。各国制定的电动车发展路线图中,对于功率密度的标准逼近了主流Si基器件的性能极限,此时,SiC器件成为了理想替代。

中信证券的分析师认为,SiC有望在电动汽车产业加速发展及渗透率提升的双重推动下迎来需求快速成长。根据Yole的预测,2021年至2027年,全球碳化硅(SiC)功率器件市场规模有望从10.90亿美元增长到62.97亿美元,年均复合增速高达34%。

英飞凌的此次投资计划充分反映了其在SiC市场的领先地位和雄心壮志。通过建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂,英飞凌将进一步巩固其在全球SiC市场的领导地位。该工厂将在未来五年内逐步提高产能,以满足全球新能源汽车市场对SiC器件的快速增长的需求。

英飞凌的这一重大投资决策不仅是对其自身技术实力的展示,也是对全球新能源汽车产业发展的积极响应。随着新能源汽车市场的持续扩大和功率密度标准的不断提升,SiC器件的需求将会持续增长。英飞凌的这座新工厂将提供更充足的SiC晶圆产能,以满足未来市场的需求。

英飞凌的这次投资计划是对未来新能源汽车市场和SiC产业发展的重大承诺。该计划将进一步推动SiC产业的发展,为全球新能源汽车市场的繁荣提供强大的支持。同时,这也将提升英飞凌在功率半导体领域的市场地位和影响力。

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