12 月 11 日消息引发半导体行业关注。据安森美日前宣布，已与Qorvo达成协议，以 1.15 亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管 (SiC JFET) 技术业务及其子公司 United Silicon Carbide。
安森美表示，该收购将补足其广泛的 EliteSiC 电源产品组合，使其能应对人工智能（AI）数据中心电源 AC-DC 段对高能效和高功率密度的需求，还将加速在电动汽车断路器和固态断路器 (SSCB) 等新兴市场的部署。SiC JFET 的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半，且支持硅基晶体管常用的现成驱动器，综合优势明显，能为电源设计人员和数据中心运营商提供显著价值。“随着 Al 工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠 SiC JFET 将越来越重要。”安森美电源方案事业群总裁兼总经理 Simon Keeton 表示，“随着Qorvo业界领先的 SiC JFET 技术的加入，我们的智能电源产品组合将为客户提供多一种优化能耗，并提高功率密度的选择。”
三年前，Qorvo曾收购 United Silicon Carbide。当时Qorvo称，此次收购将业务范围扩大到电动汽车 (EV)、工业电源控制、可再生能源和数据中心电源系统等快速增长的市场。United Silicon Carbide 的产品组合涵盖 80 多种 SiC FET、JFET 和肖特基二极管器件，其第四代 SiC FET 基于共源共栅配置，额定电压为 750V，RDS (on) 为 5.9mΩ ，达到行业领先水平，对多行业至关重要。
Qorvo相关人员曾分析此次收购的市场影响。Qorvo可编程电源高级总监 David Briggs 和 United Silicon Carbide 前总裁兼首席执行官、现任Qorvo电源设备解决方案总经理 Chris Dries 表示，收购 Active-Semi 引发对电力电子领域兴趣，目标是利用 UnitedSiC 的复合半导体制造实现多元化战略。SiC FET、JFET 等器件有其特性优势，适用于多类电力电子应用，如电动汽车中的牵引驱动器和充电器等。
SiC 正与 IGBT 竞争且发展迅速，成本逐渐降低。拥有良好供应链很重要，UnitedSiC 有大约五条不同的合格供应链。参考设计解决方案也很关键，可加速设计师采用 SiC。UnitedSiC 解决方案加入Qorvo产品组合后，将覆盖新兴能源相关市场应用，强调继续构建业务以加速 SiC 采用，提高动力系统解决方案效率。
