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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。70911+¥266.041010+¥259.100850+¥253.7800100+¥251.9293200+¥250.5412500+¥248.69051000+¥247.53382000+¥246.3771
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品类: IGBT晶体管描述: ROHM RGT50TS65DGC11 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚47035+¥31.824050+¥30.4640200+¥29.7024500+¥29.51201000+¥29.32162500+¥29.10405000+¥28.96807500+¥28.8320
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品类: IGBT晶体管描述: ROHM RGTH80TS65DGC11 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚50865+¥33.321650+¥31.8976200+¥31.1002500+¥30.90081000+¥30.70142500+¥30.47365000+¥30.33127500+¥30.1888
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品类: IGBT晶体管描述: ROHM RGT40TS65DGC11 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 40 A, 1.65 V, 144 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚543620+¥0.081050+¥0.0750100+¥0.0720300+¥0.0696500+¥0.06781000+¥0.06665000+¥0.065410000+¥0.0642
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 235800mW 3Pin(3+Tab) TO-3P28591+¥39.198610+¥36.9495100+¥35.2787250+¥35.0217500+¥34.76471000+¥34.47552500+¥34.21855000+¥34.0578
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,Renesas Electronics ### IGBT(绝缘栅双极型晶体管)分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。14571+¥43.456410+¥40.9630100+¥39.1108250+¥38.8258500+¥38.54081000+¥38.22032500+¥37.93535000+¥37.7572
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 2500V 30A 114000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAC40681+¥919.022410+¥886.776050+¥882.7452100+¥878.7144150+¥872.2651250+¥866.6220500+¥860.97891000+¥854.5296
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 400000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P44461+¥75.037510+¥71.7750100+¥71.1878250+¥70.7310500+¥70.01331000+¥69.68702500+¥69.23035000+¥68.8388
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 240A 830000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24756971+¥244.996010+¥238.604850+¥233.7049100+¥232.0006200+¥230.7223500+¥229.01801000+¥227.95282000+¥226.8876
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 250000mW 4Pin SOT-227B31231+¥44.835010+¥42.2625100+¥40.3515250+¥40.0575500+¥39.76351000+¥39.43282500+¥39.13885000+¥38.9550
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品类: IGBT晶体管描述: STGF7H60DF 管装719210+¥7.4160100+¥7.0452500+¥6.79801000+¥6.78562000+¥6.73625000+¥6.67447500+¥6.625010000+¥6.6002
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品类: IGBT晶体管描述: POWEREX CM75TL-12nF IGBT Array & Module Transistor, Six N Channel, 75A, 1.7V, 430W, 600V, Module78861+¥1269.059010+¥1257.522125+¥1251.753750+¥1245.9852100+¥1240.2168150+¥1234.4483250+¥1228.6799500+¥1222.9114
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 330V 40A 3Pin(2+Tab) D2PAK53475+¥15.093050+¥14.4480200+¥14.0868500+¥13.99651000+¥13.90622500+¥13.80305000+¥13.73857500+¥13.6740
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 66A 3Pin(3+Tab) TO-26438905+¥33.660950+¥32.2224200+¥31.4168500+¥31.21551000+¥31.01412500+¥30.78395000+¥30.64017500+¥30.4962
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SKM150MLI066 T 晶体管, IGBT模块, 200A, 600V, SEMITRANS582711+¥2669.766010+¥2645.495425+¥2633.360150+¥2621.2248100+¥2609.0895150+¥2596.9542250+¥2584.8189500+¥2572.6836
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SKIIP 02NEC066V3 IGBT Array & Module Transistor, Six NPN, 19A, 1.45V, 600V, Module79231+¥493.798510+¥480.916850+¥471.0408100+¥467.6057200+¥465.0294500+¥461.59431000+¥459.44732000+¥457.3004
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SK 50 GARL 065 F IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 54A, 1.7V, 600V, Module88921+¥258.853510+¥252.100850+¥246.9237100+¥245.1230200+¥243.7725500+¥241.97181000+¥240.84632000+¥239.7209
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT; 1700V, 660A @ 25℃; 650A @ 80℃; 1.7V @ 25℃14911+¥975.042010+¥940.830050+¥936.5535100+¥932.2770150+¥925.4346250+¥919.4475500+¥913.46041000+¥906.6180
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术,可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间,具有低尾线电流,并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量,确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。34821+¥135.458510+¥131.924850+¥129.2156100+¥128.2733200+¥127.5666500+¥126.62431000+¥126.03532000+¥125.4464
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品类: IGBT晶体管描述: EconoPACK B系列模块带有沟槽/场终止IGBT 4和优化EMCON二极管 EconoPACK B-series module with trench/fieldstop IGBT4 and optimized EmCon diode99081+¥2442.869010+¥2420.661125+¥2409.557250+¥2398.4532100+¥2387.3493150+¥2376.2453250+¥2365.1414500+¥2354.0374