型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 24A 180000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P Rail80181+￥50.874010+￥47.9550100+￥45.7866250+￥45.4530500+￥45.11941000+￥44.74412500+￥44.41055000+￥44.2020 -
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品类: IGBT晶体管描述: SmartPIM模块海沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4和压接/ NTC SmartPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC21491+￥452.065010+￥440.272050+￥431.2307100+￥428.0859200+￥425.7273500+￥422.58251000+￥420.61702000+￥418.6515 -
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品类: IGBT晶体管描述: 在NPT技术降低40 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 40% lower Eoff compared to previous generation33995+￥22.838450+￥21.8624200+￥21.3158500+￥21.17921000+￥21.04262500+￥20.88645000+￥20.78887500+￥20.6912 -
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SKM 100GB 176 D IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 125A, 1.7kV, 1.7kV, SEMITRANS 251321+￥512.348010+￥498.982450+￥488.7354100+￥485.1713200+￥482.4982500+￥478.93401000+￥476.70642000+￥474.4788 -
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品类: IGBT晶体管描述: Ultra Fast IGBT Modules57161+￥1382.304010+￥1369.737625+￥1363.454450+￥1357.1712100+￥1350.8880150+￥1344.6048250+￥1338.3216500+￥1332.0384 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT; 1700V, 660A @ 25℃; 650A @ 80℃; 1.7V @ 25℃93801+￥4545.398010+￥4504.076225+￥4483.415350+￥4462.7544100+￥4442.0935150+￥4421.4326250+￥4400.7717500+￥4380.1108 -
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SK 75 GBB 066 T IGBT Array & Module Transistor, 77A, 600V, 800mV28201+￥353.176510+￥343.963250+￥336.8997100+￥334.4428200+￥332.6001500+￥330.14331000+￥328.60772000+￥327.0722 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3Pin(3+Tab) TO-26452805+￥23.458550+￥22.4560200+￥21.8946500+￥21.75431000+￥21.61392500+￥21.45355000+￥21.35337500+￥21.2530 -
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品类: IGBT晶体管描述: “全桥” IGBT MTP （超快NPT IGBT ） ， 40 A "Full Bridge" IGBT MTP (Ultrafast NPT IGBT), 40 A85561+￥431.526010+￥420.268850+￥411.6383100+￥408.6364200+￥406.3849500+￥403.38301000+￥401.50682000+￥399.6306 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3Pin(3+Tab) TO-24742725+￥32.748350+￥31.3488200+￥30.5651500+￥30.36921000+￥30.17322500+￥29.94935000+￥29.80947500+￥29.6694 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 32A 17Pin EconoPACK 2A55421+￥184.460010+￥179.648050+￥175.9588100+￥174.6756200+￥173.7132500+￥172.43001000+￥171.62802000+￥170.8260 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。51495+￥21.726950+￥20.7984200+￥20.2784500+￥20.14851000+￥20.01852500+￥19.86995000+￥19.77717500+￥19.6842 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。78275+￥21.294050+￥20.3840200+￥19.8744500+￥19.74701000+￥19.61962500+￥19.47405000+￥19.38307500+￥19.2920 -
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SKM400GAL12T4 IGBT Array & Module Transistor, NPN, 616A, 1.8V, 1.2kV, Module47821+￥959.709010+￥926.035050+￥921.8258100+￥917.6165150+￥910.8817250+￥904.9888500+￥899.09581000+￥892.3610 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FF400R07KE4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 485 A, 1.55 V, 1.25 kW, 650 V, Module76721+￥791.023210+￥763.268050+￥759.7986100+￥756.3292150+￥750.7782250+￥745.9210500+￥741.06381000+￥735.5128 -
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品类: IGBT晶体管描述: GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications2980 -
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品类: IGBT晶体管描述: GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications1782 -
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品类: IGBT晶体管描述: 半导体解决方案的高速通讯过程和光纤OpticApplications Semiconductor Solutions for High Speed Communi cation and Fiber OpticApplications36181+￥501.423010+￥488.342450+￥478.3139100+￥474.8258200+￥472.2097500+￥468.72151000+￥466.54142000+￥464.3613 -
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品类: IGBT晶体管描述: 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Fieldstopp IGBT4 UND发射极控制二极管4 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode78571+￥1042.849210+￥1006.258050+￥1001.6841100+￥997.1102150+￥989.7920250+￥983.3885500+￥976.98501000+￥969.6668 -
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品类: IGBT晶体管描述: Diode 1.6kV 600A 3Pin PB6030491+￥1946.505010+￥1928.809525+￥1919.961850+￥1911.1140100+￥1902.2663150+￥1893.4185250+￥1884.5708500+￥1875.7230 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1.7kV 3.8kA 9Pin IHM19071811+￥12857.053010+￥12740.170725+￥12681.729650+￥12623.2884100+￥12564.8473150+￥12506.4061250+￥12447.9650500+￥12389.5238 -
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品类: IGBT晶体管描述: EconoPIM2模块海沟/ Fieldstopp IGBT4和发射极控制二极管4 EconoPIM2 module with Trench/Fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode72971+￥401.971010+￥391.484850+￥383.4454100+￥380.6491200+￥378.5518500+￥375.75551000+￥374.00782000+￥372.2601 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKW75N60H3 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 引脚50155+￥19.492250+￥18.6592200+￥18.1927500+￥18.07611000+￥17.95952500+￥17.82625000+￥17.74297500+￥17.6596
