型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 300A 4Pin37491+￥1216.658310+￥1205.597825+￥1200.067550+￥1194.5372100+￥1189.0070150+￥1183.4767250+￥1177.9464500+￥1172.4162 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fuji Electric IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。71491+￥607.485510+￥586.170250+￥583.5058100+￥580.8414150+￥576.5783250+￥572.8482500+￥569.11801000+￥564.8549 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fuji Electric IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。99691+￥572.913810+￥552.811650+￥550.2988100+￥547.7860150+￥543.7656250+￥540.2477500+￥536.72981000+￥532.7094 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB40N135IHRWG 单晶体管, IGBT, 80 A, 2.4 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚771410+￥11.4504100+￥10.8779500+￥10.49621000+￥10.47712000+￥10.40085000+￥10.30547500+￥10.229010000+￥10.1909 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube716910+￥8.7204100+￥8.2844500+￥7.99371000+￥7.97922000+￥7.92105000+￥7.84847500+￥7.790210000+￥7.7612 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB30N135IHRWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.3 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚94145+￥22.956650+￥21.9755200+￥21.4261500+￥21.28881000+￥21.15142500+￥20.99455000+￥20.89647500+￥20.7983 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.1 V, 333 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚43495+￥17.048150+￥16.3195200+￥15.9115500+￥15.80951000+￥15.70752500+￥15.59105000+￥15.51817500+￥15.4453 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1350V 30A 357000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube86555+￥13.927750+￥13.3325200+￥12.9992500+￥12.91581000+￥12.83252500+￥12.73735000+￥12.67787500+￥12.6182 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。92491+￥1177.760110+￥1167.053225+￥1161.699750+￥1156.3463100+￥1150.9928150+￥1145.6394250+￥1140.2859500+￥1134.9325 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTP20N60A4 单晶体管, IGBT, 70 A, 2.7 V, 290 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚999910+￥10.6476100+￥10.1152500+￥9.76031000+￥9.74262000+￥9.67165000+￥9.58287500+￥9.511910000+￥9.4764 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTP12N60A4D 单晶体管, IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚99995+￥14.284550+￥13.6741200+￥13.3322500+￥13.24681000+￥13.16132500+￥13.06365000+￥13.00267500+￥12.9415 -
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品类: IGBT晶体管描述: 三电平逆变器沟道+场截止IGBT功率模块 Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module99991+￥605.853010+￥584.595050+￥581.9378100+￥579.2805150+￥575.0289250+￥571.3088500+￥567.58861000+￥563.3370 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 引脚99995+￥23.390650+￥22.3910200+￥21.8313500+￥21.69131000+￥21.55142500+￥21.39145000+￥21.29157500+￥21.1915 -
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品类: IGBT晶体管描述: 400V,150A N沟道IGBT99995+￥12.107250+￥11.5898200+￥11.3000500+￥11.22761000+￥11.15512500+￥11.07245000+￥11.02067500+￥10.9689 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 NCH IGBT 150A 400V 4V99995+￥6.592125+￥6.103850+￥5.7619100+￥5.6155500+￥5.51782500+￥5.39575000+￥5.346910000+￥5.2736 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。999910+￥0.814150+￥0.7718100+￥0.7417300+￥0.7236500+￥0.70551000+￥0.68742500+￥0.66035000+￥0.6543 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 600V 23A 2W TO22099995+￥13.009250+￥12.4533200+￥12.1419500+￥12.06411000+￥11.98632500+￥11.89735000+￥11.84177500+￥11.7861 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT Transistors N-CH IGBT 400V 150A VCE 3.8V SGL99995+￥2.844525+￥2.633850+￥2.4863100+￥2.4231500+￥2.38092500+￥2.32825000+￥2.307210000+￥2.2756 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT功率模块（单联开关与断路器二极管包括快速续流二极管） IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes)5564 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。9927 -
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品类: IGBT晶体管描述: 在NPT技术的快速IGBT具有柔软，快速恢复反并联二极管EMCON Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode6187
