型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)89141-9￥957.474610-49￥923.879050-99￥919.6796100-149￥915.4801150-249￥908.7610250-499￥902.8818500-999￥897.0025≥1000￥890.2834 -
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SKM400GAL12T4 IGBT Array & Module Transistor, NPN, 616A, 1.8V, 1.2kV, Module47821-9￥959.709010-49￥926.035050-99￥921.8258100-149￥917.6165150-249￥910.8817250-499￥904.9888500-999￥899.0958≥1000￥892.3610 -
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品类: IGBT晶体管描述: EconoDUAL3模块沟/场终止IGBT 4极和发射Controlled3二极管 EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled3 diode9425 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT; 1700V, 660A @ 25℃; 650A @ 80℃; 1.7V @ 25℃14911-9￥975.042010-49￥940.830050-99￥936.5535100-149￥932.2770150-249￥925.4346250-499￥919.4475500-999￥913.4604≥1000￥906.6180 -
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon FF200R12KE3HOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装54711-9￥988.858810-49￥954.162050-99￥949.8249100-149￥945.4878150-249￥938.5484250-499￥932.4765500-999￥926.4046≥1000￥919.4652 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 超过 21A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。51221-9￥1016.845810-49￥981.167050-99￥976.7072100-149￥972.2473150-249￥965.1115250-499￥958.8678500-999￥952.6240≥1000￥945.4882 -
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品类: IGBT晶体管描述: TRANS IGBT PWR MODULE 1.2kV 330A60581-9￥1017.518410-49￥981.816050-99￥977.3532100-149￥972.8904150-249￥965.7499250-499￥959.5020500-999￥953.2541≥1000￥946.1136 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。61821-9￥1034.892010-49￥998.580050-99￥994.0410100-149￥989.5020150-249￥982.2396250-499￥975.8850500-999￥969.5304≥1000￥962.2680 -
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品类: IGBT晶体管描述: 62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Fieldstopp IGBT4 UND发射极控制二极管4 62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode78571-9￥1042.849210-49￥1006.258050-99￥1001.6841100-149￥997.1102150-249￥989.7920250-499￥983.3885500-999￥976.9850≥1000￥969.6668 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。15441-9￥1076.091610-49￥1038.334050-99￥1033.6143100-149￥1028.8946150-249￥1021.3431250-499￥1014.7355500-999￥1008.1279≥1000￥1000.5764 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1147000mW 7Pin Double INT-A-PAK72381-9￥1083.627010-49￥1045.605050-99￥1040.8523100-149￥1036.0995150-249￥1028.4951250-499￥1021.8413500-999￥1015.1874≥1000￥1007.5830 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 690000mW Medical 7Pin Bulk15131-9￥1089.612010-49￥1051.380050-99￥1046.6010100-149￥1041.8220150-249￥1034.1756250-499￥1027.4850500-999￥1020.7944≥1000￥1013.1480 -
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品类: IGBT晶体管描述: EconoPACK™ 3 1700V sixpack IGBT module with trench/fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC52481-9￥1098.184810-49￥1059.652050-99￥1054.8354100-149￥1050.0188150-249￥1042.3122250-499￥1035.5690500-999￥1028.8258≥1000￥1021.1192 -
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品类: IGBT晶体管描述: POWEREX QIS4506002 IGBT Array & Module Transistor, NPN, 60A, 3V, 4.5kW, 4.5kV, Module47541-9￥1103.770810-49￥1065.042050-99￥1060.2009100-149￥1055.3598150-249￥1047.6140250-499￥1040.8365500-999￥1034.0590≥1000￥1026.3132 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT E9PACK38051-9￥1103.964610-49￥1065.229050-99￥1060.3871100-149￥1055.5451150-249￥1047.7980250-499￥1041.0193500-999￥1034.2405≥1000￥1026.4934 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG12225WB-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 325A, 1.7V, 1.05kW, 1.2kV, Module25441-9￥1134.482410-49￥1094.676050-99￥1089.7002100-149￥1084.7244150-249￥1076.7631250-499￥1069.7970500-999￥1062.8309≥1000￥1054.8696 -
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品类: IGBT晶体管描述: POWEREX CM75TU-12F IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75A, 600V, 290W, 600V, Module78361-9￥1134.528010-49￥1094.720050-99￥1089.7440100-149￥1084.7680150-249￥1076.8064250-499￥1069.8400500-999￥1062.8736≥1000￥1054.9120 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗，用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块，如 ECONOPACK 封装，1200V 时带集电极开路发射器电压；PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块，其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用，例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。18941-9￥1104.543010-24￥1094.501725-49￥1089.481150-99￥1084.4604100-149￥1079.4398150-249￥1074.4191250-499￥1069.3985≥500￥1064.3778 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 260000mW 24Pin Bulk53031-9￥1114.498010-24￥1104.366225-49￥1099.300350-99￥1094.2344100-149￥1089.1685150-249￥1084.1026250-499￥1079.0367≥500￥1073.9708 -
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC 2MBI200U4H-120-50 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 2.05 V, 1.04 kW, 1.2 kV, Module55471-9￥1119.514010-24￥1109.336625-49￥1104.247950-99￥1099.1592100-149￥1094.0705150-249￥1088.9818250-499￥1083.8931≥500￥1078.8044 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG12200D-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 290A, 1.7V, 1.05kW, 1.2kV, Module71921-9￥1122.154010-24￥1111.952625-49￥1106.851950-99￥1101.7512100-149￥1096.6505150-249￥1091.5498250-499￥1086.4491≥500￥1081.3484 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。43501-9￥1125.916010-24￥1115.680425-49￥1110.562650-99￥1105.4448100-149￥1100.3270150-249￥1095.2092250-499￥1090.0914≥500￥1084.9736 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 420A 1550000mW 7Pin 62MM Tray89491-9￥1139.611010-24￥1129.250925-49￥1124.070950-99￥1118.8908100-149￥1113.7108150-249￥1108.5307250-499￥1103.3507≥500￥1098.1706 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 1200V 300A Dual58631-9￥1140.667010-24￥1130.297325-49￥1125.112550-99￥1119.9276100-149￥1114.7428150-249￥1109.5579250-499￥1104.3731≥500￥1099.1882 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 150A Hex69581-9￥1171.104010-24￥1160.457625-49￥1155.134450-99￥1149.8112100-149￥1144.4880150-249￥1139.1648250-499￥1133.8416≥500￥1128.5184 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 600V 300A Dual48031-9￥1178.914010-24￥1168.196625-49￥1162.837950-99￥1157.4792100-149￥1152.1205150-249￥1146.7618250-499￥1141.4031≥500￥1136.0444 -
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品类: IGBT晶体管描述: FF300R12KE3 power transistor module. 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode...86391-9￥1201.871010-24￥1190.944925-49￥1185.481950-99￥1180.0188100-149￥1174.5558150-249￥1169.0927250-499￥1163.6297≥500￥1158.1666
