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型号: MWI200-06A8
描述: IGBT 模块,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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封 装: E3
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技术参数/额定电压(DC):

600 V

 

技术参数/额定电流:

225 A

 

技术参数/耗散功率:

675000 mW

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

600 V

 

技术参数/输入电容(Cies):

9nF @25V

 

技术参数/额定功率(Max):

675 W

 

技术参数/工作温度(Max):

125 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-40 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

675000 mW

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

21

 

封装参数/封装:

E3

 

外形尺寸/长度:

122 mm

 

外形尺寸/宽度:

62 mm

 

外形尺寸/高度:

17 mm

 

外形尺寸/封装:

E3

 

物理参数/工作温度:

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Bulk

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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