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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。81145+￥3.469525+￥3.212550+￥3.0326100+￥2.9555500+￥2.90412500+￥2.83995000+￥2.814210000+￥2.7756 -
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品类: MOS管描述: 40V,100A,1.05mΩ,N沟道功率MOSFET43105+￥22.159850+￥21.2128200+￥20.6825500+￥20.54991000+￥20.41732500+￥20.26585000+￥20.17117500+￥20.0764 -
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品类: MOS管描述: Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin PLD-1.5W T/R15451+￥58.799510+￥56.2430100+￥55.7828250+￥55.4249500+￥54.86251000+￥54.60682500+￥54.24895000+￥53.9422 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V97515+￥2.862025+￥2.650050+￥2.5016100+￥2.4380500+￥2.39562500+￥2.34265000+￥2.321410000+￥2.2896 -
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品类: MOS管描述: Mosfet n-Ch 30V 18A Hsmr894635+￥4.266025+￥3.950050+￥3.7288100+￥3.6340500+￥3.57082500+￥3.49185000+￥3.460210000+￥3.4128 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.5 V28285+￥1.363525+￥1.262550+￥1.1918100+￥1.1615500+￥1.14132500+￥1.11615000+￥1.106010000+￥1.0908 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.5 V17735+￥1.809025+￥1.675050+￥1.5812100+￥1.5410500+￥1.51422500+￥1.48075000+￥1.467310000+￥1.4472 -
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品类: MOS管描述: HSMT N-CH 30V 15A67215+￥2.349025+￥2.175050+￥2.0532100+￥2.0010500+￥1.96622500+￥1.92275000+￥1.905310000+￥1.8792 -
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品类: MOS管描述: 系统封装集成了微步控制器和10A功率MOSFET19871+￥94.081510+￥89.9910100+￥89.2547250+￥88.6820500+￥87.78211000+￥87.37312500+￥86.80045000+￥86.3096 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRL3705NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 55 V, 10 mohm, 10 V, 2 V131110+￥8.3640100+￥7.9458500+￥7.66701000+￥7.65312000+￥7.59735000+￥7.52767500+￥7.471810000+￥7.4440 -
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品类: MOS管描述: VISHAY IRFP9140PBF. 晶体管, MOSFET, 通用, P沟道, 21 A, -100 V, 200 mohm, -10 V, -4 V82755+￥15.537650+￥14.8736200+￥14.5018500+￥14.40881000+￥14.31582500+￥14.20965000+￥14.14327500+￥14.0768 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET39985+￥13.864550+￥13.2720200+￥12.9402500+￥12.85731000+￥12.77432500+￥12.67955000+￥12.62037500+￥12.5610 -
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品类: MOS管描述: MOSFET，Infineon ### 电动机控制 MOSFET Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET 同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。62465+￥11.992550+￥11.4800200+￥11.1930500+￥11.12131000+￥11.04952500+￥10.96755000+￥10.91637500+￥10.8650 -
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品类: MOS管描述: N沟道,60V,200A,3mΩ@10V404310+￥9.6120100+￥9.1314500+￥8.81101000+￥8.79502000+￥8.73095000+￥8.65087500+￥8.586710000+￥8.5547 -
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品类: MOS管描述: N沟道,60V,210A,3mΩ@10V241410+￥6.0480100+￥5.7456500+￥5.54401000+￥5.53392000+￥5.49365000+￥5.44327500+￥5.402910000+￥5.3827 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能514810+￥6.1440100+￥5.8368500+￥5.63201000+￥5.62182000+￥5.58085000+￥5.52967500+￥5.488610000+￥5.4682 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU13N10LTU 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 2 V97255+￥2.943025+￥2.725050+￥2.5724100+￥2.5070500+￥2.46342500+￥2.40895000+￥2.387110000+￥2.3544 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF850N80Z, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装504210+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500DC, 108 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装67635+￥5.278525+￥4.887550+￥4.6138100+￥4.4965500+￥4.41832500+￥4.32065000+￥4.281510000+￥4.2228 -
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品类: MOS管描述: SupreMOS® MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。50661+￥53.814210+￥50.7265100+￥48.4328250+￥48.0799500+￥47.72701000+￥47.33002500+￥46.97725000+￥46.7566 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC010NE2LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2 V52155+￥5.967025+￥5.525050+￥5.2156100+￥5.0830500+￥4.99462500+￥4.88415000+￥4.839910000+￥4.7736 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC024NE2LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.002 ohm, 10 V, 2 V55155+￥4.968025+￥4.600050+￥4.3424100+￥4.2320500+￥4.15842500+￥4.06645000+￥4.029610000+￥3.9744 -
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品类: MOS管描述: N沟道 70mA 600V844320+￥0.567050+￥0.5250100+￥0.5040300+￥0.4872500+￥0.47461000+￥0.46625000+￥0.457810000+￥0.4494 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC014N06NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.8 V63895+￥5.440525+￥5.037550+￥4.7554100+￥4.6345500+￥4.55392500+￥4.45325000+￥4.412910000+￥4.3524 -
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品类: MOS管描述: Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS138P,215, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装494020+￥0.108050+￥0.1000100+￥0.0960300+￥0.0928500+￥0.09041000+￥0.08885000+￥0.087210000+￥0.0856 -
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品类: MOS管描述: N 沟道 MOSFET，100V 至 650V，Diodes Inc ### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.26525+￥2.160025+￥2.000050+￥1.8880100+￥1.8400500+￥1.80802500+￥1.76805000+￥1.752010000+￥1.7280
