型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: D2PAK N-CH 100V 57A77005-49￥12.402050-199￥11.8720200-499￥11.5752500-999￥11.50101000-2499￥11.42682500-4999￥11.34205000-7499￥11.2890≥7500￥11.2360 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP30N06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 4 V53125-24￥5.845525-49￥5.412550-99￥5.1094100-499￥4.9795500-2499￥4.89292500-4999￥4.78475000-9999￥4.7414≥10000￥4.6764 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8960C 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 35 V, 24 mohm, 10 V, 2 V346810-99￥7.5960100-499￥7.2162500-999￥6.96301000-1999￥6.95032000-4999￥6.89975000-7499￥6.83647500-9999￥6.7858≥10000￥6.7604 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP33N10, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装29995-49￥12.214850-199￥11.6928200-499￥11.4005500-999￥11.32741000-2499￥11.25432500-4999￥11.17085000-7499￥11.1186≥7500￥11.0664 -
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品类: MOS管描述: 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V73595-24￥3.159025-49￥2.925050-99￥2.7612100-499￥2.6910500-2499￥2.64422500-4999￥2.58575000-9999￥2.5623≥10000￥2.5272 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT86244 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 150 V, 0.106 ohm, 10 V, 3.1 V93175-24￥2.268025-49￥2.100050-99￥1.9824100-499￥1.9320500-2499￥1.89842500-4999￥1.85645000-9999￥1.8396≥10000￥1.8144 -
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品类: MOS管描述: UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。684210-99￥11.8560100-499￥11.2632500-999￥10.86801000-1999￥10.84822000-4999￥10.76925000-7499￥10.67047500-9999￥10.5914≥10000￥10.5518 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。689010-99￥8.7480100-499￥8.3106500-999￥8.01901000-1999￥8.00442000-4999￥7.94615000-7499￥7.87327500-9999￥7.8149≥10000￥7.7857 -
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品类: MOS管描述: 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET684010-99￥6.2760100-499￥5.9622500-999￥5.75301000-1999￥5.74252000-4999￥5.70075000-7499￥5.64847500-9999￥5.6066≥10000￥5.5856 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6930A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V599010-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。79435-24￥2.997025-49￥2.775050-99￥2.6196100-499￥2.5530500-2499￥2.50862500-4999￥2.45315000-9999￥2.4309≥10000￥2.3976 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6670A 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 1.8 V92645-24￥2.268025-49￥2.100050-99￥1.9824100-499￥1.9320500-2499￥1.89842500-4999￥1.85645000-9999￥1.8396≥10000￥1.8144 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。349710-99￥9.7320100-499￥9.2454500-999￥8.92101000-1999￥8.90482000-4999￥8.83995000-7499￥8.75887500-9999￥8.6939≥10000￥8.6615 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6612A 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V98475-24￥2.389525-49￥2.212550-99￥2.0886100-499￥2.0355500-2499￥2.00012500-4999￥1.95595000-9999￥1.9382≥10000￥1.9116 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。69181-9￥240.982510-49￥234.696050-99￥229.8764100-199￥228.2000200-499￥226.9427500-999￥225.26631000-1999￥224.2185≥2000￥223.1708 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA7632 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.1 V56385-24￥4.090525-49￥3.787550-99￥3.5754100-499￥3.4845500-2499￥3.42392500-4999￥3.34825000-9999￥3.3179≥10000￥3.2724 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8460 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 1.9 V814910-99￥8.0160100-499￥7.6152500-999￥7.34801000-1999￥7.33462000-4999￥7.28125000-7499￥7.21447500-9999￥7.1610≥10000￥7.1342 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC510P, 54 A, Vds=20 V, 8引脚 MLP封装842310-99￥7.6200100-499￥7.2390500-999￥6.98501000-1999￥6.97232000-4999￥6.92155000-7499￥6.85807500-9999￥6.8072≥10000￥6.7818 -
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品类: MOS管描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET98605-49￥19.328450-199￥18.5024200-499￥18.0398500-999￥17.92421000-2499￥17.80862500-4999￥17.67645000-7499￥17.5938≥7500￥17.5112 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDG6320C, 140 mA，220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装118220-49￥0.526550-99￥0.4875100-299￥0.4680300-499￥0.4524500-999￥0.44071000-4999￥0.43295000-9999￥0.4251≥10000￥0.4173 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。90615-49￥28.711850-199￥27.4848200-499￥26.7977500-999￥26.62591000-2499￥26.45412500-4999￥26.25785000-7499￥26.1351≥7500￥26.0124 -
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品类: MOS管描述: FDD6612A 系列 30 V 20 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-25219105-24￥2.943025-49￥2.725050-99￥2.5724100-499￥2.5070500-2499￥2.46342500-4999￥2.40895000-9999￥2.3871≥10000￥2.3544 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6630A 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 1.7 V62155-24￥2.430025-49￥2.250050-99￥2.1240100-499￥2.0700500-2499￥2.03402500-4999￥1.98905000-9999￥1.9710≥10000￥1.9440 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDC6321C, 460 mA，680 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装37525-24￥2.025025-49￥1.875050-99￥1.7700100-499￥1.7250500-2499￥1.69502500-4999￥1.65755000-9999￥1.6425≥10000￥1.6200
