EPC（宜普电源转换公司，氮化镓功率器件龙头）
定位：全球领先的增强型硅基氮化镓（eGaN®）功率晶体管与 IC 供应商，全称 Efficient Power Conversion Corporation，2007 年由功率 MOSFET 联合发明人 Alex Lidow 创立，总部位于美国加州 El Segundo，专注GaN（氮化镓）替代硅功率器件，服务快充、数据中心、新能源、激光雷达、工业等高高频高效场景。核心优势：eGaN® 专利技术、低导通电阻、高开关速度、低成本硅基工艺、车规 / 宇航级高可靠。
一、品牌简介
品牌：EPC（Efficient Power Conversion Corporation，宜普电源转换）
创立：2007 年，创始人 Alex Lidow（功率 MOSFET 联合发明人，前国际整流器 IR CEO）、Joe Cao、Robert Beach。
总部：美国加利福尼亚州埃尔塞贡多（El Segundo）。
核心产品：eGaN® 功率 MOSFET、GaN 集成电路（驱动 + 保护 + 功率）、车规级 GaN、宇航级抗辐射 GaN。
技术标签：eGaN®（增强型氮化镓）、硅基 GaN、高频高效、无反向恢复。
二、发展史（关键节点）
1. 创立与技术初心（2007–2009）
2007 年：Alex Lidow 携团队创立 EPC，使命是用 GaN 替代硅功率器件，突破硅 MOSFET 性能极限。
2009 年 6 月：推出全球首款商用 eGaN® 晶体管 EPC1001，采用硅晶圆代工，实现低成本、高可靠量产，开启 GaN 商业化时代。
2. 产品迭代与市场突破（2010–2019）
2010–2015 年：持续迭代eGaN® Gen1–Gen4，电压覆盖40V–200V，广泛用于手机 / 笔记本快充、服务器电源、激光雷达（LiDAR）。
2016 年：推出车规级 AEC-Q100 认证 GaN 器件，进入车载快充、OBC、BMS领域。
2018 年：发布集成 GaN IC（ePower™），集成驱动、保护、功率开关，简化系统设计，提升效率。
2019 年：eGaN® Gen5量产，RDS (on) 降至毫欧级，开关频率达100MHz+，巩固高频高效领导地位。
3. 多元化与高端市场（2020–至今）
2020 年：与 VPT 成立合资公司EPC Space，推出抗辐射 GaN 器件，服务卫星、航天航空。
2021–2023 年：Gen6发布，100V 1mΩ EPC2361等产品刷新功率密度纪录，主攻AI 服务器、数据中心、新能源汽车。
2024 年：与瑞萨电子达成技术授权合作，扩大 GaN 生态；Gen7研发启动，聚焦更低损耗、更高集成度。
2025–2026 年：中国快充 / 新能源市场份额领先，eGaN 器件成为65W–400W 快充、光伏微逆、储能主流选型。
现状：硅基 GaN 功率器件全球市占第一，eGaN® 专利壁垒深厚，产品覆盖消费、工业、汽车、航天，是氮化镓功率半导体绝对龙头。
三、核心技术与产品矩阵
1. 核心技术
eGaN®（增强型氮化镓）：硅衬底生长 GaN，无反向恢复、开关速度比硅快 10 倍、损耗降低 50%+。
硅基工艺：利用成熟硅晶圆代工厂，成本接近硅器件，可靠性更高。
集成 ePower™ IC：驱动 + 保护 + 功率集成，简化 BOM、缩小体积、提升效率。
2. 代表产品
eGaN® MOSFET：EPC2022（40V/6mΩ）、EPC2361（100V/1mΩ）、EPC2107（200V/5mΩ）。
集成 GaN IC：EPC2152（ePower™ Stage，快充专用）、EPC2170（LiDAR 驱动）。
车规 / 宇航级：EPCQ 系列（AEC-Q100）、EPC7001（抗辐射，40V/4mΩ）。
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描述:
晶体管(MOSFET)氮化镓N沟道MOSFET
5679
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晶体管(MOSFET)氮化镓N沟道MOSFET
5664
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晶体管(MOSFET)氮化镓N沟道MOSFET
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晶体管(MOSFET)氮化镓N沟道MOSFET
5757
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晶体管(MOSFET)氮化镓N沟道MOSFET
5730
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TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
1128
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TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK
3862
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Trans Gan 200V 31A Bumped Die
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Trans Gan 200V 31A Bumped Die
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Board Dev For Epc8007 40V Egan
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Eval Board Gan Zvs Class d Amp
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Eval Board 65V Class d Wireless
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