型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: INFINEON SPD18P06P 晶体管, MOSFET, P沟道, 18.6 A, -60 V, 130 mohm, -10 V, 20 V358510+￥8.7240100+￥8.2878500+￥7.99701000+￥7.98252000+￥7.92435000+￥7.85167500+￥7.793410000+￥7.7644 -
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品类: MOS管描述: RK7002 SS 开关 MosFet; SMT6 封装925610+￥0.688550+￥0.6528100+￥0.6273300+￥0.6120500+￥0.59671000+￥0.58142500+￥0.55855000+￥0.5534 -
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品类: MOS管描述: N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET30385+￥2.929525+￥2.712550+￥2.5606100+￥2.4955500+￥2.45212500+￥2.39795000+￥2.376210000+￥2.3436 -
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品类: MOS管描述: N沟道,20V,3A,55mΩ@4.5V980220+￥0.121550+￥0.1125100+￥0.1080300+￥0.1044500+￥0.10171000+￥0.09995000+￥0.098110000+￥0.0963 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS SCT30N120 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.6 V16991+￥171.430510+￥166.958450+￥163.5298100+￥162.3372200+￥161.4428500+￥160.25031000+￥159.50492000+￥158.7596 -
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品类: MOS管描述: SCT20N120 系列 1200 V 290 mOhm 20 A 碳化硅 功率 Mosfet - HiP247™42481+￥128.650510+￥125.294450+￥122.7214100+￥121.8264200+￥121.1552500+￥120.26031000+￥119.70092000+￥119.1416 -
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品类: MOS管描述: RTR030P02 P沟道MOS场效应管 -20V 3A 0.055ohm SOT-23 marking/标记 TV 低导通电阻 内置栅源保护二极管647010+￥0.729050+￥0.6912100+￥0.6642300+￥0.6480500+￥0.63181000+￥0.61562500+￥0.59135000+￥0.5859 -
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品类: MOS管描述: RJP020N06 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 LS 低栅极电荷/最小化驱动器损失/DC-DC转换器918410+￥1.107050+￥1.0496100+￥1.0086300+￥0.9840500+￥0.95941000+￥0.93482500+￥0.89795000+￥0.8897 -
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品类: MOS管描述: TO-247 N 600V 35A 0.092Ω16855+￥20.124050+￥19.2640200+￥18.7824500+￥18.66201000+￥18.54162500+￥18.40405000+￥18.31807500+￥18.2320 -
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品类: MOS管描述: 单 N-沟道 30 V 5000 mW 6.3 nC 硅 表面贴装 Mosfet - SOT-23109120+￥0.418550+￥0.3875100+￥0.3720300+￥0.3596500+￥0.35031000+￥0.34415000+￥0.337910000+￥0.3317 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS PD55003-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF71461+￥47.702010+￥44.9650100+￥42.9318250+￥42.6190500+￥42.30621000+￥41.95432500+￥41.64155000+￥41.4460 -
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品类: MOS管描述: 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/54370621+￥266.892010+￥259.929650+￥254.5918100+￥252.7351200+￥251.3426500+￥249.48601000+￥248.32562000+￥247.1652 -
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品类: MOS管描述: Mosfet n-Ch Isoplus24721361+￥214.555510+￥208.958450+￥204.6673100+￥203.1747200+￥202.0553500+￥200.56281000+￥199.62992000+￥198.6971 -
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品类: MOS管描述: IXTT 系列 单通道 N 沟道 250 V 27 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-26882115+￥3.037525+￥2.812550+￥2.6550100+￥2.5875500+￥2.54252500+￥2.48635000+￥2.463810000+￥2.4300 -
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品类: MOS管描述: TO-268 N-CH 1200V 6A11301+￥69.931510+￥66.8910100+￥66.3437250+￥65.9180500+￥65.24911000+￥64.94512500+￥64.51945000+￥64.1546 -
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品类: MOS管描述: N沟道 100V 130A251510+￥9.9720100+￥9.4734500+￥9.14101000+￥9.12442000+￥9.05795000+￥8.97487500+￥8.908310000+￥8.8751 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3Pin(3+Tab) PLUS 247 Trans MOSFET N-CH 500V 44A 3Pin(3+Tab) PLUS 24748661+￥117.495510+￥114.430450+￥112.0805100+￥111.2631200+￥110.6501500+￥109.83281000+￥109.32192000+￥108.8111 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度61651+￥199.582510+￥194.376050+￥190.3844100+￥188.9960200+￥187.9547500+￥186.56631000+￥185.69852000+￥184.8308 -
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品类: MOS管描述: IXKR 系列 单 N 沟道 600 V 45 mOhm 功率 MOSFET - ISOPLUS24779411+￥54.302210+￥51.1865100+￥48.8720250+￥48.5159500+￥48.15981000+￥47.75922500+￥47.40325000+￥47.1806 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 24716621+￥106.743010+￥102.1020100+￥101.2666250+￥100.6169500+￥99.59591000+￥99.13182500+￥98.48205000+￥97.9251 -
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品类: MOS管描述: TO-247 N-CH 100V 230A24141+￥48.958610+￥46.1495100+￥44.0627250+￥43.7417500+￥43.42071000+￥43.05952500+￥42.73855000+￥42.5378 -
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品类: MOS管描述: SOT-227B N-CH 1100V 36A58641+￥403.661510+￥393.131250+￥385.0580100+￥382.2499200+￥380.1438500+￥377.33581000+￥375.58072000+￥373.8257 -
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品类: MOS管描述: TO-247AD N-CH 900V 13A16991+￥89.550510+￥85.6570100+￥84.9562250+￥84.4111500+￥83.55451000+￥83.16522500+￥82.62015000+￥82.1529 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiPerFET™ X2 系列 与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管，且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。 极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备30801+￥69.770510+￥66.7370100+￥66.1910250+￥65.7663500+￥65.09891000+￥64.79562500+￥64.37095000+￥64.0069 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFP150MPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.036 ohm, 10 V, 4 V 新42025+￥3.037525+￥2.812550+￥2.6550100+￥2.5875500+￥2.54252500+￥2.48635000+￥2.463810000+￥2.4300
