技术参数/漏源极电阻： | 41.0 mΩ |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1.10 W |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 5.30 A |
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技术参数/上升时间： | 12.0 ns |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 4.9 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.9 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.75 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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