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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: INFINEON IPP90R340C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 900 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V35725+￥22.253450+￥21.3024200+￥20.7698500+￥20.63671000+￥20.50362500+￥20.35145000+￥20.25637500+￥20.1612 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPP80P03P4L-04 晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -30 V, 0.0037 ohm, -10 V, -1.5 V808910+￥9.6000100+￥9.1200500+￥8.80001000+￥8.78402000+￥8.72005000+￥8.64007500+￥8.576010000+￥8.5440 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPP80P03P4L04AKSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -30 V, 0.0037 ohm, -10 V, -1.5 V274210+￥10.1880100+￥9.6786500+￥9.33901000+￥9.32202000+￥9.25415000+￥9.16927500+￥9.101310000+￥9.0673 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能19335+￥5.467525+￥5.062550+￥4.7790100+￥4.6575500+￥4.57652500+￥4.47535000+￥4.434810000+￥4.3740 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能94205+￥14.777150+￥14.1456200+￥13.7920500+￥13.70361000+￥13.61512500+￥13.51415000+￥13.45107500+￥13.3878 -
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品类: MOS管描述: 的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor889010+￥10.1520100+￥9.6444500+￥9.30601000+￥9.28912000+￥9.22145000+￥9.13687500+￥9.069110000+￥9.0353 -
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品类: MOS管描述: TO-220 N-CH 30V 50A62105+￥3.631525+￥3.362550+￥3.1742100+￥3.0935500+￥3.03972500+￥2.97255000+￥2.945610000+￥2.9052 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin(3+Tab) TO-22044365+￥16.883150+￥16.1616200+￥15.7576500+￥15.65661000+￥15.55552500+￥15.44015000+￥15.36807500+￥15.2958 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPP015N04N G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 1.2 mohm, 10 V, 2 V22005+￥28.302350+￥27.0928200+￥26.4155500+￥26.24621000+￥26.07682500+￥25.88335000+￥25.76247500+￥25.6414 -
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品类: MOS管描述: IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能83185+￥17.854250+￥17.0912200+￥16.6639500+￥16.55711000+￥16.45032500+￥16.32825000+￥16.25197500+￥16.1756 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPN50R950CEATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 500 V, 0.86 ohm, 13 V, 3 V 新75195+￥1.863025+￥1.725050+￥1.6284100+￥1.5870500+￥1.55942500+￥1.52495000+￥1.511110000+￥1.4904 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPN50R800CEATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.6 A, 500 V, 0.72 ohm, 13 V, 3 V 新91485+￥2.187025+￥2.025050+￥1.9116100+￥1.8630500+￥1.83062500+￥1.79015000+￥1.773910000+￥1.7496 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPN50R1K4CEATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 500 V, 1.26 ohm, 13 V, 3 V 新25785+￥1.687525+￥1.562550+￥1.4750100+￥1.4375500+￥1.41252500+￥1.38135000+￥1.368810000+￥1.3500 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPN50R3K0CEATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 500 V, 2.7 ohm, 13 V, 3 V 新785710+￥1.309550+￥1.2416100+￥1.1931300+￥1.1640500+￥1.13491000+￥1.10582500+￥1.06225000+￥1.0525 -
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品类: MOS管描述: N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=2.8A P=490mW858110+￥0.850550+￥0.8064100+￥0.7749300+￥0.7560500+￥0.73711000+￥0.71822500+￥0.68995000+￥0.6836 -
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品类: MOS管描述: N沟道 VDS=30V VGS=±8V ID=480mA P=350mW997020+￥0.553550+￥0.5125100+￥0.4920300+￥0.4756500+￥0.46331000+￥0.45515000+￥0.446910000+￥0.4387 -
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品类: MOS管描述: N沟道 VDS=30V VGS=2V ID=4.5A P=510mW625520+￥0.540050+￥0.5000100+￥0.4800300+￥0.4640500+￥0.45201000+￥0.44405000+￥0.436010000+￥0.4280
