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描述: INFINEON IPP80P03P4L-04 晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -30 V, 0.0037 ohm, -10 V, -1.5 V
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封 装: TO-220-3
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0037 Ω

 

技术参数/极性:

P-Channel

 

技术参数/耗散功率:

137 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

80A

 

技术参数/上升时间:

11 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

11300pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

137 W

 

技术参数/下降时间:

40 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

137 W

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.4 mm

 

外形尺寸/高度:

15.65 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

其他/制造应用:

High-Side MOSFETs for motor bridges (half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors), Bridge configuration could be realized with 30V P-Channels high side device with no need of charge pump

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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IPP100P03P3L-04 IPP100P03P3L-04 Infineon (英飞凌) 类似代替 TO-220-3
的OptiMOS -P沟道功率三极管 OptiMOS-P Trench Power-Transistor
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