型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: TO-220NIS N-CH 800V 6A89335-49￥15.022850-199￥14.3808200-499￥14.0213500-999￥13.93141000-2499￥13.84152500-4999￥13.73885000-7499￥13.6746≥7500￥13.6104 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6327C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 1.9 A, 20 V, 0.069 ohm, 4.5 V, 900 mV474610-99￥6.9960100-499￥6.6462500-999￥6.41301000-1999￥6.40132000-4999￥6.35475000-7499￥6.29647500-9999￥6.2498≥10000￥6.2264 -
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品类: MOS管描述: 60V,2.6A,N沟道功率MOSFET71055-24￥4.617025-49￥4.275050-99￥4.0356100-499￥3.9330500-2499￥3.86462500-4999￥3.77915000-9999￥3.7449≥10000￥3.6936 -
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品类: MOS管描述: SOIC N-CH 30V 13A91555-24￥6.588025-49￥6.100050-99￥5.7584100-499￥5.6120500-2499￥5.51442500-4999￥5.39245000-9999￥5.3436≥10000￥5.2704 -
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品类: MOS管描述: QFET® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。82415-24￥6.426025-49￥5.950050-99￥5.6168100-499￥5.4740500-2499￥5.37882500-4999￥5.25985000-9999￥5.2122≥10000￥5.1408 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS3992, 4.5 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装161910-99￥6.1080100-499￥5.8026500-999￥5.59901000-1999￥5.58882000-4999￥5.54815000-7499￥5.49727500-9999￥5.4565≥10000￥5.4361 -
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品类: MOS管描述: 1500mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-354325-24￥1.377025-49￥1.275050-99￥1.2036100-499￥1.1730500-2499￥1.15262500-4999￥1.12715000-9999￥1.1169≥10000￥1.1016 -
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品类: MOS管描述: FDC8878 系列 30 V 8 A 16 mOhm 表面贴装 N-沟道 功率 Trench Mosfet - SSOT-6945910-99￥7.0320100-499￥6.6804500-999￥6.44601000-1999￥6.43432000-4999￥6.38745000-7499￥6.32887500-9999￥6.2819≥10000￥6.2585 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC653N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.7 V60141-9￥166.566010-49￥162.220850-99￥158.8895100-199￥157.7308200-499￥156.8617500-999￥155.70301000-1999￥154.9788≥2000￥154.2546 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC602P 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 35 mohm, -4.5 V, -900 mV537310-49￥1.188050-99￥1.1264100-299￥1.0824300-499￥1.0560500-999￥1.02961000-2499￥1.00322500-4999￥0.9636≥5000￥0.9548 -
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品类: MOS管描述: P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。872810-49￥1.323050-99￥1.2544100-299￥1.2054300-499￥1.1760500-999￥1.14661000-2499￥1.11722500-4999￥1.0731≥5000￥1.0633 -
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品类: MOS管描述: Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET **Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能17595-24￥3.955525-49￥3.662550-99￥3.4574100-499￥3.3695500-2499￥3.31092500-4999￥3.23775000-9999￥3.2084≥10000￥3.1644 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET BSS138K, 220 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装351120-49￥0.418550-99￥0.3875100-299￥0.3720300-499￥0.3596500-999￥0.35031000-4999￥0.34415000-9999￥0.3379≥10000￥0.3317 -
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品类: MOS管描述: N沟道 40V 20A37615-24￥2.335525-49￥2.162550-99￥2.0414100-499￥1.9895500-2499￥1.95492500-4999￥1.91175000-9999￥1.8944≥10000￥1.8684 -
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品类: MOS管描述: -30V,-12A,P沟道MOSFET744010-49￥1.147550-99￥1.0880100-299￥1.0455300-499￥1.0200500-999￥0.99451000-2499￥0.96902500-4999￥0.9308≥5000￥0.9223 -
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品类: MOS管描述: 每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/55737751-9￥319.884010-49￥311.539250-99￥305.1415100-199￥302.9162200-499￥301.2473500-999￥299.02201000-1999￥297.6312≥2000￥296.2404 -
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品类: MOS管描述: 2SK3019 N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-523/SC-75/EMT3 marking/标记 KN 低导通电阻/高速度开关/低电压驱动278520-49￥0.121550-99￥0.1125100-299￥0.1080300-499￥0.1044500-999￥0.10171000-4999￥0.09995000-9999￥0.0981≥10000￥0.0963 -
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品类: MOS管描述: 4A,1500V,N沟道MOSFET49231-9￥77.544510-99￥74.1730100-249￥73.5661250-499￥73.0941500-999￥72.35241000-2499￥72.01522500-4999￥71.5432≥5000￥71.1387 -
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品类: MOS管描述: 2SK3569 管装11985-49￥18.708350-199￥17.9088200-499￥17.4611500-999￥17.34921000-2499￥17.23722500-4999￥17.10935000-7499￥17.0294≥7500￥16.9494 -
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品类: MOS管描述: TO-220SIS N-CH 500V 12A40645-24￥4.914025-49￥4.550050-99￥4.2952100-499￥4.1860500-2499￥4.11322500-4999￥4.02225000-9999￥3.9858≥10000￥3.9312 -
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品类: MOS管描述: N Channel 100V 0.3 O 20W 18NC Through Hole HexFet Power Mosfet - TO-3931571-9￥58.255010-99￥54.9125100-249￥52.4295250-499￥52.0475500-999￥51.66551000-2499￥51.23582500-4999￥50.8538≥5000￥50.6150 -
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品类: MOS管描述: Single P-Channel 200V 25W 34.8NC Hexfet Transistors Through Hole - TO-3912961-9￥59.593010-99￥57.0020100-249￥56.5356250-499￥56.1729500-999￥55.60291000-2499￥55.34382500-4999￥54.9810≥5000￥54.6701 -
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品类: MOS管描述: Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET **Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能187010-49￥0.796550-99￥0.7552100-299￥0.7257300-499￥0.7080500-999￥0.69031000-2499￥0.67262500-4999￥0.6461≥5000￥0.6402 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSP149 晶体管, MOSFET, N沟道, 480 mA, 200 V, 3.5 ohm, 10 V, -1.4 V506910-99￥7.7280100-499￥7.3416500-999￥7.08401000-1999￥7.07112000-4999￥7.01965000-7499￥6.95527500-9999￥6.9037≥10000￥6.8779 -
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品类: MOS管描述: Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能9610 -
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品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET，高达 30V，Nexperia ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors473510-49￥0.702050-99￥0.6656100-299￥0.6396300-499￥0.6240500-999￥0.60841000-2499￥0.59282500-4999￥0.5694≥5000￥0.5642 -
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品类: MOS管描述: Trans RF MOSFET N-CH 110V 42A 5Pin SOT-539A62251-9￥956.881810-49￥923.307050-99￥919.1102100-149￥914.9133150-249￥908.1983250-499￥902.3228500-999￥896.4472≥1000￥889.7322
