技术参数/额定功率： | 2 W |
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技术参数/极性： | P-CH |
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技术参数/耗散功率： | 3.1 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 12A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2600pF @15V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 3.1 W |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 3.1W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDS4435
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
P沟道逻辑电平的PowerTrench ？ MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET
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FDS4435
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 功能相似 | SOIC |
P沟道逻辑电平的PowerTrench ？ MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET
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FDS4435
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOIC-8 |
P沟道逻辑电平的PowerTrench ？ MOSFET P-Channel Logic Level PowerTrench⑩MOSFET
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