型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
![]()
品类: MOS管描述: VISHAY IRFB18N50KPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 5 V79975-49￥13.946450-199￥13.3504200-499￥13.0166500-999￥12.93321000-2499￥12.84982500-4999￥12.75445000-7499￥12.6948≥7500￥12.6352 -
![]()
品类: MOS管描述: 650V,110mΩ,31.2A,N沟道功率MOSFET63101-9￥60.202510-99￥57.5850100-249￥57.1139250-499￥56.7474500-999￥56.17161000-2499￥55.90982500-4999￥55.5434≥5000￥55.2293 -
![]()
品类: MOS管描述: INFINEON IRF6727MTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 30 V, 0.00122 ohm, 10 V, 1.8 V 新809410-99￥9.5040100-499￥9.0288500-999￥8.71201000-1999￥8.69622000-4999￥8.63285000-7499￥8.55367500-9999￥8.4902≥10000￥8.4586 -
![]()
品类: MOS管描述: 场效应管(MOSFET) IRF8327STRPBF DirectFET95765-24￥2.173525-49￥2.012550-99￥1.8998100-499￥1.8515500-2499￥1.81932500-4999￥1.77915000-9999￥1.7630≥10000￥1.7388 -
![]()
品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC T/R53835-24￥3.267025-49￥3.025050-99￥2.8556100-499￥2.7830500-2499￥2.73462500-4999￥2.67415000-9999￥2.6499≥10000￥2.6136 -
![]()
品类: MOS管描述: SOIC N-CH 30V 14A36585-24￥2.457025-49￥2.275050-99￥2.1476100-499￥2.0930500-2499￥2.05662500-4999￥2.01115000-9999￥1.9929≥10000￥1.9656 -
![]()
品类: MOS管描述: 40V,90A,5.2mΩ,N沟道汽车MOSFET503810-99￥8.1480100-499￥7.7406500-999￥7.46901000-1999￥7.45542000-4999￥7.40115000-7499￥7.33327500-9999￥7.2789≥10000￥7.2517 -
![]()
品类: MOS管描述: INFINEON IPD50N04S4-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.0072 ohm, 10 V, 3 V24535-24￥2.862025-49￥2.650050-99￥2.5016100-499￥2.4380500-2499￥2.39562500-4999￥2.34265000-9999￥2.3214≥10000￥2.2896 -
![]()
品类: 双极性晶体管描述: NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管170720-49￥0.108050-99￥0.1000100-299￥0.0960300-499￥0.0928500-999￥0.09041000-4999￥0.08885000-9999￥0.0872≥10000￥0.0856 -
![]()
品类: MOS管描述: N 通道 MOSFET，Diodes Inc. ### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.34535-24￥2.146525-49￥1.987550-99￥1.8762100-499￥1.8285500-2499￥1.79672500-4999￥1.75705000-9999￥1.7411≥10000￥1.7172 -
![]()
品类: MOS管描述: ON SEMICONDUCTOR VEC2616-TL-W 双路场效应管, MOSFET, N和P, 3 A, 60 V, 0.062 ohm, 10 V, 2.6 V 新64895-24￥3.618025-49￥3.350050-99￥3.1624100-499￥3.0820500-2499￥3.02842500-4999￥2.96145000-9999￥2.9346≥10000￥2.8944 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: STGY50NC60WD 系列 600 V 50 A 超快 IGBT 通孔 - MAX-24791261-9￥97.899510-99￥93.6430100-249￥92.8768250-499￥92.2809500-999￥91.34451000-2499￥90.91882500-4999￥90.3229≥5000￥89.8122 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。319710-99￥8.5920100-499￥8.1624500-999￥7.87601000-1999￥7.86172000-4999￥7.80445000-7499￥7.73287500-9999￥7.6755≥10000￥7.6469 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚592010-99￥11.1480100-499￥10.5906500-999￥10.21901000-1999￥10.20042000-4999￥10.12615000-7499￥10.03327500-9999￥9.9589≥10000￥9.9217 -
![]()
品类: MOS管描述: INFINEON IRF9540NLPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 23 A, -100 V, 117 mohm, 10 V, 4 V445910-99￥11.5440100-499￥10.9668500-999￥10.58201000-1999￥10.56282000-4999￥10.48585000-7499￥10.38967500-9999￥10.3126≥10000￥10.2742 -
![]()
品类: MOS管描述: INFINEON IRF6644TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0103 ohm, 10 V, 4.8 V 新564510-99￥10.1400100-499￥9.6330500-999￥9.29501000-1999￥9.27812000-4999￥9.21055000-7499￥9.12607500-9999￥9.0584≥10000￥9.0246 -
![]()
品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 40V 250A 3Pin(3+Tab) TO-262 Tube209310-99￥8.6520100-499￥8.2194500-999￥7.93101000-1999￥7.91662000-4999￥7.85895000-7499￥7.78687500-9999￥7.7291≥10000￥7.7003 -
![]()
品类: MOS管描述: Mosfet, 80V, 55A, 15Mohm, 22NC Qg, Med Can75265-49￥13.501850-199￥12.9248200-499￥12.6017500-999￥12.52091000-2499￥12.44012500-4999￥12.34785000-7499￥12.2901≥7500￥12.2324 -
![]()
品类: MOS管描述: INFINEON IRF7304TRPBF. 场效应管, MOSFET, 双P沟道, 2W, 8-SOIC80255-24￥2.808025-49￥2.600050-99￥2.4544100-499￥2.3920500-2499￥2.35042500-4999￥2.29845000-9999￥2.2776≥10000￥2.2464 -
![]()
品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。81145-24￥3.469525-49￥3.212550-99￥3.0326100-499￥2.9555500-2499￥2.90412500-4999￥2.83995000-9999￥2.8142≥10000￥2.7756 -
![]()
品类: MOS管描述: 40V,100A,1.05mΩ,N沟道功率MOSFET43105-49￥22.159850-199￥21.2128200-499￥20.6825500-999￥20.54991000-2499￥20.41732500-4999￥20.26585000-7499￥20.1711≥7500￥20.0764 -
![]()
品类: 双极性晶体管描述: Nexperia BCX56-16,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:63, 180 MHz, 3引脚 SOT-89封装112820-49￥0.202550-99￥0.1875100-299￥0.1800300-499￥0.1740500-999￥0.16951000-4999￥0.16655000-9999￥0.1635≥10000￥0.1605 -
![]()
品类: MOS管描述: Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin PLD-1.5W T/R15451-9￥58.799510-99￥56.2430100-249￥55.7828250-499￥55.4249500-999￥54.86251000-2499￥54.60682500-4999￥54.2489≥5000￥53.9422 -
![]()
品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V97515-24￥2.862025-49￥2.650050-99￥2.5016100-499￥2.4380500-2499￥2.39562500-4999￥2.34265000-9999￥2.3214≥10000￥2.2896 -
![]()
品类: MOS管描述: Mosfet n-Ch 30V 18A Hsmr894635-24￥4.266025-49￥3.950050-99￥3.7288100-499￥3.6340500-2499￥3.57082500-4999￥3.49185000-9999￥3.4602≥10000￥3.4128 -
![]()
品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.5 V28285-24￥1.363525-49￥1.262550-99￥1.1918100-499￥1.1615500-2499￥1.14132500-4999￥1.11615000-9999￥1.1060≥10000￥1.0908
