技术参数/额定电压(DC)： | 80.0 V |
|
技术参数/额定电流： | 55.0 A |
|
技术参数/漏源极电阻： | 15 mΩ |
|
技术参数/极性： | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 2.8 W |
|
技术参数/产品系列： | IRF6668 |
|
技术参数/输入电容： | 1320pF @25V |
|
技术参数/栅电荷： | 31.0 nC |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 80 V |
|
技术参数/漏源击穿电压： | 80.0 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 44.0 A, 55.0 mA |
|
技术参数/上升时间： | 13.0 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 1320pF @25V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 2.8 W |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | Direct-FET |
|
外形尺寸/长度： | 6.35 mm |
|
外形尺寸/高度： | 0.536 mm |
|
外形尺寸/封装： | Direct-FET |
|
物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 150℃ |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价