技术参数/额定功率： | 89 W |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/针脚数： | 7 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.0103 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 89 W |
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技术参数/阈值电压： | 4.8 V |
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技术参数/输入电容： | 2210 pF |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 10.3A |
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技术参数/上升时间： | 26 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2210pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 2.8 W |
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技术参数/下降时间： | 16 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 7 |
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封装参数/封装： | Direct-FET |
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外形尺寸/长度： | 6.35 mm |
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外形尺寸/封装： | Direct-FET |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | Battery Operated Drive, Load Switch High Side, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Class D Audio, Isolated Primary Side MOSFETs |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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