型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: 中高压MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET45605-49￥12.156350-199￥11.6368200-499￥11.3459500-999￥11.27321000-2499￥11.20042500-4999￥11.11735000-7499￥11.0654≥7500￥11.0134 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPA65R600E6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 700 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V7193 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHP17N60D-E3 Power MOSFET, N Channel, 17A, 600V, 0.275Ω, 10V, 3V30455-49￥13.209350-199￥12.6448200-499￥12.3287500-999￥12.24971000-2499￥12.17062500-4999￥12.08035000-7499￥12.0239≥7500￥11.9674 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 320 mohm, 10 V, 5 V27975-49￥14.402750-199￥13.7872200-499￥13.4425500-999￥13.35641000-2499￥13.27022500-4999￥13.17175000-7499￥13.1102≥7500￥13.0486 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF400N80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V98845-49￥15.034550-199￥14.3920200-499￥14.0322500-999￥13.94231000-2499￥13.85232500-4999￥13.74955000-7499￥13.6853≥7500￥13.6210 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPP65R190C7FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V11765-49￥15.853550-199￥15.1760200-499￥14.7966500-999￥14.70181000-2499￥14.60692500-4999￥14.49855000-7499￥14.4308≥7500￥14.3630 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW48N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 40 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 4 V 新61875-49￥17.795750-199￥17.0352200-499￥16.6093500-999￥16.50291000-2499￥16.39642500-4999￥16.27475000-7499￥16.1987≥7500￥16.1226 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6020ENZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V 新61425-49￥18.930650-199￥18.1216200-499￥17.6686500-999￥17.55531000-2499￥17.44202500-4999￥17.31265000-7499￥17.2317≥7500￥17.1508 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB070N65S3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 V 新55675-49￥19.071050-199￥18.2560200-499￥17.7996500-999￥17.68551000-2499￥17.57142500-4999￥17.44105000-7499￥17.3595≥7500￥17.2780 -
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品类: N沟道MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3Pin(3+Tab) TO-220AB98325-49￥21.563150-199￥20.6416200-499￥20.1256500-999￥19.99661000-2499￥19.86752500-4999￥19.72015000-7499￥19.6280≥7500￥19.5358 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPW17N80C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V95255-49￥22.101350-199￥21.1568200-499￥20.6279500-999￥20.49571000-2499￥20.36342500-4999￥20.21235000-7499￥20.1179≥7500￥20.0234 -
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品类: 中高压MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。28295-49￥25.599650-199￥24.5056200-499￥23.8930500-999￥23.73981000-2499￥23.58662500-4999￥23.41165000-7499￥23.3022≥7500￥23.1928 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPP17N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V52905-49￥26.523950-199￥25.3904200-499￥24.7556500-999￥24.59701000-2499￥24.43832500-4999￥24.25695000-7499￥24.1436≥7500￥24.0302 -
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。 高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics15965-49￥26.769650-199￥25.6256200-499￥24.9850500-999￥24.82481000-2499￥24.66462500-4999￥24.48165000-7499￥24.3672≥7500￥24.2528 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 新26635-49￥26.991950-199￥25.8384200-499￥25.1924500-999￥25.03101000-2499￥24.86952500-4999￥24.68495000-7499￥24.5696≥7500￥24.4542 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFP27N60KPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道52745-49￥28.431050-199￥27.2160200-499￥26.5356500-999￥26.36551000-2499￥26.19542500-4999￥26.00105000-7499￥25.8795≥7500￥25.7580 -
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品类: 中高压MOS管描述: FUJI ELECTRIC FMV20N60S1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V25765-49￥29.694650-199￥28.4256200-499￥27.7150500-999￥27.53731000-2499￥27.35962500-4999￥27.15665000-7499￥27.0297≥7500￥26.9028 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPA08N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 650 mohm, 10 V, 3 V98025-49￥33.520550-199￥32.0880200-499￥31.2858500-999￥31.08531000-2499￥30.88472500-4999￥30.65555000-7499￥30.5123≥7500￥30.3690 -
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品类: 中高压MOS管描述: TO-220 N-CH 600V 6A66745-49￥34.257650-199￥32.7936200-499￥31.9738500-999￥31.76881000-2499￥31.56382500-4999￥31.32965000-7499￥31.1832≥7500￥31.0368 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHG47N60EF-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 47A, TO247AC-369171-9￥42.626810-99￥40.1810100-249￥38.3641250-499￥38.0846500-999￥37.80511000-2499￥37.49062500-4999￥37.2111≥5000￥37.0364 -
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品类: N沟道MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET91461-9￥67.516510-99￥64.5810100-249￥64.0526250-499￥63.6416500-999￥62.99581000-2499￥62.70232500-4999￥62.2913≥5000￥61.9391 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW56N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V 新62631-9￥70.518010-99￥67.4520100-249￥66.9001250-499￥66.4709500-999￥65.79641000-2499￥65.48982500-4999￥65.0605≥5000￥64.6926 -
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品类: 中高压MOS管描述: SupreMOS® MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。51791-9￥89.539010-99￥85.6460100-249￥84.9453250-499￥84.4002500-999￥83.54381000-2499￥83.15452500-4999￥82.6095≥5000￥82.1423 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY SIHS90N65E-E3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 87 A, 650 V, 0.025 ohm, 10 V, 4 V 新35351-9￥112.228510-99￥107.3490100-249￥106.4707250-499￥105.7876500-999￥104.71411000-2499￥104.22612500-4999￥103.5430≥5000￥102.9575 -
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品类: 中高压MOS管描述: WOLFSPEED C2M0045170D 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, 20 V, 2.6 V 新34891-9￥935.700610-49￥902.869050-99￥898.7651100-149￥894.6611150-249￥888.0948250-499￥882.3493500-999￥876.6037≥1000￥870.0374
