技术参数/针脚数： | 2 |
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技术参数/钳位电压： | 53.3 V |
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技术参数/最大反向击穿电压： | 40.6 V |
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技术参数/脉冲峰值功率： | 1.5 kW |
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技术参数/最小反向击穿电压： | 36.7 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-214AB |
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外形尺寸/封装： | DO-214AB |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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其他/制造应用： | 工业, Industrial |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2016/06/20 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SMCJ33A
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Multicomp | 类似代替 | DO-214AB |
BOURNS SMCJ33A TVS二极管, AEC-Q214, SMCJ系列, 单向, 33 V, 53.3 V, DO-214AB, 2 引脚
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1SMC33AT3G
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Littelfuse (力特) | 功能相似 | SMC |
1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1SMC33AT3G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-214AB |
1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1SMC30AT3G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-214AB |
ON SEMICONDUCTOR 1SMC30AT3G 二极管, TVS, 1.5KW, 30V, SMC
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SMCJ33A-E3/57T
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VISHAY (威世) | 功能相似 | DO-214AB |
33VWM,单向,TVS二极管
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SMC | 类似代替 | DO-214AB |
BOURNS SMCJ33A TVS二极管, AEC-Q214, SMCJ系列, 单向, 33 V, 53.3 V, DO-214AB, 2 引脚
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General Semiconductor | 功能相似 |
STMICROELECTRONICS SM15T33A TVS二极管, TVS, Transil SM15T系列, 单向, 28.2 V, 59 V, DO-214AB, 2 引脚
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