芯片AI顾问
技术参数/电容： | 450 pF |
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技术参数/容差： | ±5 % |
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技术参数/针脚数： | 2 |
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技术参数/正向电压： | 900mV @10mA |
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技术参数/耗散功率： | 500 mW |
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技术参数/测试电流： | 5 mA |
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技术参数/稳压值： | 3.9 V |
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技术参数/正向电压(Max)： | 900mV @10mA |
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技术参数/额定功率(Max)： | 500 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 200 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 500 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | SOD-80 |
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外形尺寸/长度： | 3.5 mm |
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外形尺寸/高度： | 3.7 mm |
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外形尺寸/封装： | SOD-80 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 200℃ |
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物理参数/温度系数： | -2.5 mV/K |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 工业 |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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BZV55-C3V9
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NXP (恩智浦) | 完全替代 | SOD-80 |
NXP BZV55-C3V9 单管二极管 齐纳, 3.9 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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BZV55-C3V9,115
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Nexperia (安世) | 类似代替 | SOD-80 |
BZV55 系列 3.9 V ±5 % 500 mW 表面贴装 稳压二极管 - SOD-80C
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BZV55-C3V9,115
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOD-80 |
BZV55 系列 3.9 V ±5 % 500 mW 表面贴装 稳压二极管 - SOD-80C
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