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型号： SGB02N60
描述： Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
SGB02N60 SGB02N60 Siemens Semiconductor (西门子) 功能相似
在NPT技术降低75 ％的Eoff快速IGBT相比上一代 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation

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