技术参数/漏源极电阻: 0.012 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 120 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -65.0 A
技术参数/输入电容(Ciss): 5400pF @25V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SUD09P10-195-GE3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-252-3 |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
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SUD09P10-195-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-252 |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
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||
SUD09P10-195-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-252-3 |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
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Vishay Intertechnology | 类似代替 |
MOSFET 55V 75A 250W
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|||
SUP90P06-09L-E3
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | TO-220-3 |
Trans MOSFET P-CH 60V 90A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
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||
SUP90P06-09L-E3
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-220-3 |
Trans MOSFET P-CH 60V 90A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP90P06-09L-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-220 |
Trans MOSFET P-CH 60V 90A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
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||
SUP90P06-09L-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-220-3 |
Trans MOSFET P-CH 60V 90A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
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