技术参数/额定功率: 250 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.0074 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 2.4 W
技术参数/阈值电压: 1 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 90.0 A
技术参数/上升时间: 190 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 9200pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 2.4 W
技术参数/下降时间: 300 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/工作结温(Max): 175 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2400 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/最小包装: 50
其他/制造应用: 工业, Industrial
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SUD09P10-195-GE3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-252-3 |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
||
SUD09P10-195-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-252 |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
||
SUD09P10-195-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-252-3 |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
|
||
SUP65P04-15-E3
|
Vishay Intertechnology | 类似代替 | TO-220-3 |
MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
|
||
SUP65P04-15-E3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-220 |
MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
|
||
SUP65P04-15-E3
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-220 |
MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
|
||
SUP65P04-15-E3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-220-3 |
MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
|
||
|
|
Vishay Intertechnology | 完全替代 |
MOSFET 55V 75A 250W
|
|||
SUP75P05-08-E3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-220-3 |
VISHAY SUP75P05-08-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 75 A, -55 V, 8 mohm, -10 V, -2 V
|
||
SUP75P05-08-E3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-220 |
VISHAY SUP75P05-08-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 75 A, -55 V, 8 mohm, -10 V, -2 V
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价