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型号： STS10PF30L

描述： P沟道30V - 0.012Ohm - 10A型SO-8的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.012Ohm - 10A SO-8 STripFET II POWER MOSFET

品牌： ST Microelectronics (意法半导体)

封装： SOIC-8

货期：

包装方式： Tape & Reel (TR)

标准包装数： 1

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技术参数/额定电压(DC): -30.0 V

技术参数/额定电流: -10.0 A

技术参数/漏源极电阻: 14.0 mΩ

技术参数/极性: P-Channel

技术参数/耗散功率: 2.5 W

技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V

技术参数/漏源击穿电压: 30.0 V

技术参数/栅源击穿电压: ±16.0 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 10.0 A

技术参数/上升时间: 87 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 2300pF @25V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 2.5 W

技术参数/下降时间: 27 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 2.5W (Tc)

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: SOIC-8

外形尺寸/长度: 5 mm

外形尺寸/宽度: 4 mm

外形尺寸/高度: 1.65 mm

外形尺寸/封装: SOIC-8

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

替代料

	型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
	TPS1100D	TI (德州仪器)	功能相似	SOIC-8	单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
	TPS1100DR	TI (德州仪器)	功能相似	SOIC-8	单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS