技术参数/通道数: 1
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 0.791 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 15 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 1.6A
技术参数/上升时间: 10 ns
技术参数/额定功率(Max): 791 mW
技术参数/下降时间: 2 ns
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 791mW (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 4.9 mm
外形尺寸/宽度: 3.91 mm
外形尺寸/高度: 1.75 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TPS1100D
|
TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
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TPS1100DG4
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
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