技术参数/耗散功率: 2.7 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/上升时间: 11.2 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1290pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 2.7 W
技术参数/下降时间: 6 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2.7W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SO-8
外形尺寸/封装: SO-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STL65N3LLH5
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | PowerVDFN-8 |
STMICROELECTRONICS STL65N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 V
|
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STS10N3LH5
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
N沟道30 V ， 0.019 I© ， 10 A ， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET⢠V Power MOSFET
|
||
STS12N3LLH5
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | SO-8 |
N-Channel 30V 0.0075Ω SMT STripFET V Power Mosfet SOIC-8
|
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