技术参数/针脚数: 8
技术参数/漏源极电阻: 4.8 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 60 W
技术参数/阈值电压: 1 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 9.50 A
技术参数/上升时间: 14.5 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1500pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 4 W
技术参数/下降时间: 4.5 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 60W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: PowerVDFN-8
外形尺寸/长度: 4.75 mm
外形尺寸/宽度: 5.75 mm
外形尺寸/高度: 0.88 mm
外形尺寸/封装: PowerVDFN-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STL65N3LLH5
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | PowerVDFN-8 |
STMICROELECTRONICS STL65N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 V
|
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STS10N3LH5
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
N沟道30 V ， 0.019 I© ， 10 A ， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET⢠V Power MOSFET
|
||
STS5N15F3
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
SO N-CH 150V 5A
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