技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 2.5 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 150 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 5A
技术参数/上升时间: 13 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1300pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 2.5 W
技术参数/下降时间: 20 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2.5W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STS10N3LH5
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | SOIC-8 |
N沟道30 V ， 0.019 I© ， 10 A ， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.019 Ω, 10 A, SO-8 STripFET⢠V Power MOSFET
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STS5N15F4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | SOIC-8 |
N沟道150 V， 0.057Î © ， 5 A， SO - 8 STripFETâ ?? ¢ DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150 V, 0.057Ω, 5 A, SO-8 STripFET⢠DeepGATE⢠Power MOSFET
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STS9NH3LL
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | SOIC-8 |
N沟道30 V - 0.018 Ω - 9 A - SO- 8低栅极电荷的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 30 V - 0.018 Ω - 9 A - SO-8 low gate charge STripFET™ III Power MOSFET
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