技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 80.0 A
技术参数/正向电压: 800mV @40A
技术参数/正向电流: 80000 mA
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 400 A
技术参数/正向电压(Max): 800mV @40A
技术参数/正向电流(Max): 40 A
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/工作结温: 175℃ (Max)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247-3
外形尺寸/长度: 15.9 mm
外形尺寸/宽度: 5.3 mm
外形尺寸/高度: 20.3 mm
外形尺寸/封装: TO-247-3
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 175℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
40CPQ100PBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-247-3 |
40CPQ100PbF 系列 100 V 40 A 高频 肖特基整流器 - TO-247AC
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40CPQ100PBF
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Vishay Dale (威世达勒) | 功能相似 |
40CPQ100PbF 系列 100 V 40 A 高频 肖特基整流器 - TO-247AC
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40CPQ100PBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-247 |
40CPQ100PbF 系列 100 V 40 A 高频 肖特基整流器 - TO-247AC
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V60100PW-M3/4W
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-3-3 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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V60100PW-M3/4W
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Vishay Siliconix | 功能相似 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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